品牌：Entegris（美國英特格）
型號：WG3D50DR2
品類：Chambergard? Fast Vent Diffusers（快速通風擴散器 / 氣體過濾器）
主要材質：專利燒結鎳膜濾芯（Patented, sintered nickel membrane filter）、316L不銹鋼外殼（316L stainless steel）
內部表面粗糙度：≤ 32 μin Ra
接口規格：ISO NW-50（兼容標準ISO隔板夾的隔板安裝）
額定最大工作壓力（O型圈配置）：0.2 MPa (30 psi)
最大承受壓力：0.3 MPa (45 psi)
最高工作溫度：帶O型圈時為 100°C (212°F)；不帶O型圈時可達 400°C (752°F)
進口連接方式：兼容 1/4" VCR? 陽性墊片密封接頭
過濾精度：可有效去除氣流中大于 0.0015 μm 的微小顆粒
下游清潔度：在額定流量下，大于 0.01 μm 的顆粒物少于 0.03 個/升（<1 個/立方英尺）
組件尺寸：外徑約 67.9 mm (2.67")，主體厚度或隔板配合部分約 59.9 mm (2.35")，墊片或夾持厚度約 2.6 mm (0.10")
重量信息：約 0.65 kg（因全金屬高精密燒結結構，實際帶包裝出貨重量約為 0.85 kg）
美國Entegris（英特格）作為全球半導體工藝及先進制程中氣體純化與流體控制領域的標桿企業，其研發的Chambergard?系列快速通風擴散器在行業中享有盛譽。型號WG3D50DR2正是該系列中專門針對真空室、晶圓裝載腔（Load Lock）以及特殊氣體控制系統設計的核心控流與高精度過濾元件。半導體制造制程對環境潔凈度有著近乎嚴苛的要求，在晶圓腔室進行快速充氣或泄壓 Vent 循環時，氣流的急速擾動極易揚起腔體內部的微塵顆粒，從而直接導致高價值晶圓的報廢，而本款產品正是為了解決這一行業痛點而生。
從產品性能與核心技術來看，WG3D50DR2采用了英特格引以為傲的專利燒結鎳膜（Sintered Nickel）技術。這種特制的金屬多孔結構不僅具備極高且均勻的孔隙率，能夠提供優異的擴散流道，將高壓氣流均勻、平緩地導入到腔室中，避免局部產生高速射流，同時它本身還是一臺超高效率的精密過濾器。根據官方技術指標，它能夠穩定攔截濾除引入氣體中直徑大于0.0015微米（μm）的極細微顆粒，確保流向晶圓表面的每一股氣流都達到潔凈標準。在實際額定流量運行下，下游的潔凈度表現可穩定控制在每升氣體中大于0.01微米的顆粒物不足0.03個，從根本上杜絕了二次粒子污染對半導體器件良率的負面影響。
在材料工藝與硬件參數層面，WG3D50DR2擴散器通體采用高純度316L不銹鋼外殼制造，內部表面經過精細拋光處理，表面粗糙度Ra值低于32微英寸，極大降低了氣體介質在流經表面時的滯留與吸附風險。該型號在規格上配置了標準的ISO NW-50法蘭接口，兼容市面上通用的ISO標準隔板夾進行快速緊固與密封安裝。進氣口則采用了半導體高純管道標準件中極為常用的1/4英寸VCR陽性墊片密封接頭，確保在頻繁的高低溫及壓力循環交替下依然具備極高的氣密性。壓力控制上，其設計額定工作壓力為0.2兆帕（30 psi），最大耐壓可達0.3兆帕（45 psi）。另外，該組件表現出極寬的溫度適應能力，在配置密封O型圈時可在100攝氏度的常規環境下穩定作業，若在無O型圈的特殊高溫工況下，整機全金屬結構能夠耐受高達400攝氏度的高溫考驗，這使得它不僅能應用于常規的真空裝載腔，更能完美勝任各種高溫CVD（化學氣相沉積）或ALD（原子層沉積）制程的前端保護。
在行業應用與選型推薦方面，合理縮短真空腔室的通風循環周期是提高整個半導體機臺產出率（Throughput）的關鍵手段。WG3D50DR2通過將擴散流體動力學與大流量過濾完美結合，允許系統以極快的速度向大氣壓環境回充氣體，而完全不破壞真空腔內的微粒平衡。同類機型中，如果是小型腔體或空間受限的管路，用戶常配合選擇管徑更小的ISO NW-25或NW-40規格擴散器，例如WG3D25LT2或者WG3D40DR2。而針對大體積的工藝腔體，WG3D50DR2則憑借其更大的擴散表面積和NW-50的高通量接口，成為各大晶圓廠和半導體前道設備制造廠商（OEM）進行裝機升級的理想方案。它能幫助工廠在維持高良率的前提下大幅壓縮非生產性的抽真空與放氣時間，為企業帶來顯著的經濟效益。
WG3D16TR2
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WG3D63DR1
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