產(chǎn)品參數(shù)
品牌：Entegris (英特格)
系列：Gasketgard 固態(tài)管線內(nèi)線墊片過濾器系列
完整型號：WGPM0GGG2
接頭尺寸與規(guī)格：1/4" VCR 密封墊片形式
全長尺寸：25.0 毫米 (0.98 英寸)
最大工作壓力：高達 20.0 MPa (約 2900 psig / 200 bar)
顆粒截留效率：對于直徑不小于 0.01 微米 (10 納米) 的超細微顆粒，過濾效率不低于 99.9999999%
適用介質(zhì)：超高純度氮氣、氬氣、氧氣、氫氣、氦氣等半導體級別特殊工藝氣體
基質(zhì)材料：全金屬耐高溫高壓機械構(gòu)造
密封過濾膜材：全金屬燒結(jié)多孔微米級不銹鋼濾材
工作溫度區(qū)間：允許工作的極端環(huán)境溫度范圍上限可達到 400 ℃
系統(tǒng)壓降表現(xiàn)：在高流速狀態(tài)下保持低且穩(wěn)定的初始壓降曲線
潔凈處理等級：出廠前經(jīng)過 10 級超凈間超純?nèi)ルx子水清洗及高純氮氣精密烘干封裝
安裝形式：自帶卡圈固定結(jié)構(gòu)，支持插入標準 VCR 氣路接頭卡槽中
接口類型：不銹鋼軸向密封墊片式濾芯
產(chǎn)品凈重：約 0.012 kg
包裝總重：約 0.045 kg (含高純氮氣雙層防靜電真空保護袋與防擠壓泡殼)
Entegris WGPM0GGG2 是一款專門針對半導體前道晶圓制造、光電面板刻蝕、LED 外延片生長等先進制程氣路系統(tǒng)而開發(fā)的高精密全金屬內(nèi)線墊片式過濾器。在現(xiàn)代半導體高潔凈度工藝管路中，微量納米級物料顆粒以及隨管路震動剝落的金屬微屑會對芯片的電學良率和表面物理平整度帶來嚴重的破壞。該款過濾器采用革命性的固態(tài)一體化物理包裝設(shè)計，能夠直接取代標準的 1/4 英寸 VCR 氣路密封墊片，在不額外改變和占用現(xiàn)有精密氣路面板空間的前提下，提供持續(xù)高效的終端微粒截留屏障，協(xié)助整個氣動控制網(wǎng)絡(luò)平穩(wěn)運行。
在核心材料與物理性能方面，WGPM0GGG2 展現(xiàn)出了極佳的抗化學腐蝕能力與極端熱力學穩(wěn)定性。其核心過濾介質(zhì)摒棄了常規(guī)過濾耗材中可能引入二次污染的各種有機粘結(jié)劑或樹脂成分，完全由高純度不銹鋼微孔燒結(jié)濾膜構(gòu)成。這種全金屬的微觀多孔編織結(jié)構(gòu)不僅能夠承受高達 400 ℃ 的持續(xù)高溫烘烤，還可以在 20 MPa 的超高工作應(yīng)力下保持物理形態(tài)不發(fā)生形變。得益于英特格原廠出色的多層深度過濾技術(shù)，該濾芯能夠針對直徑僅為 0.01 微米的懸浮超細顆粒物提供近乎完美的捕獲效果。同時，其內(nèi)部經(jīng)過優(yōu)化的三維流道分布設(shè)計，有效增加了單位面積的有效流通氣體通量，成功降低了高流速高密度氣體穿透濾網(wǎng)時產(chǎn)生的局部突發(fā)性瞬態(tài)壓降，確保了下游反應(yīng)腔體內(nèi)部的氣壓平衡。
在行業(yè)應(yīng)用和系統(tǒng)維護方面，該產(chǎn)品被廣泛集成于電子級特殊氣柜（Gas Box）、氣路分配面板（VMB）、物理氣相沉積（PVD）設(shè)備、化學氣相沉積（CVD）工藝線以及各種精密質(zhì)子注入機的核心工藝氣體供氣段。由于其外形尺寸高度契合 1/4 英寸的 VCR 規(guī)格，并且自帶定位卡圈（Retainer），現(xiàn)場設(shè)備操作與裝配工程師在進行定期的生產(chǎn)線管路耗材更換維護時，無需切斷或拆卸復(fù)雜的管線法蘭，即可像更換普通密封墊片一樣將其輕松塞入現(xiàn)有的標準氣體控制面板內(nèi)。這大幅縮短了因濾芯堵塞造成的晶圓廠設(shè)備停機時間，并防止了由于反復(fù)裝拆管路導致的二次大氣微塵污染入侵，為先進制程設(shè)備構(gòu)筑了可靠的終端防護層。
針對不同流速條件以及化學特性各異的電子級腐蝕性、毒性氣體，英特格原廠在 Gasketgard 系列產(chǎn)品框架內(nèi)提供了非常完備的延伸與備件選型梯隊。如果現(xiàn)場的配氣控制面板采用了更大通徑的管道系統(tǒng)（例如主流的 3/8 英寸或 1/2 英寸 VCR 氣體卡槽），用戶無需進行管路縮徑改造，可以直接平替升級選用同系列中尺寸更寬的 WGPM0GGT4 或是 WGPM0GGT2 系列大流量墊片式濾芯。而針對某些存在強酸、強堿或超強氟化腐蝕的特種刻蝕洗滌氣體管線，原廠也推薦搭配使用全鎳材料制造的超強耐蝕系列（如 WGFGMBRR4），在維持相同氣體顆粒阻隔特性的基礎(chǔ)上，徹底消除由于化學相互反應(yīng)引起的基質(zhì)金屬陽離子析出風險，為晶圓廠的超凈氣體供應(yīng)線提供全方位的技術(shù)支撐。
WGPM0GGG2
WGPM0GGT2
WGPM0GGT4
WGPM0GGS2
WGPM0GGS4
WGFGMBRR4
WGFGT1PR1
WGMXMBRR2
WGMXMBRR4
WGMXMBSS2
WGMXMBSS3
WGMXMBSS4
WGMXMPRR2
WGMXMPSS2
WGMXMPSS4
WGFGMBSS4
WGFGMBSS2
WGFGMBRR2
WGFGT1SS1
WGFGT1RR1
WGSTH1SS2
WGSTH1RR2
WGSVM1SS2
WGSVM1RR2
WGMXN0RR2
WGMXN0SS2
WGMXN0RR4
WGMXN0SS4
WGMXP0RR2
WGMXP0SS2
WGMXP0RR4
WGMXP0SS4
LGMXFPRR4
LGMXFPSS3
SI2MSNFE05
SI2N0025R
SI2N0050R
SI2N0100B
SI2N0100BRR8
SI2N0200B
SI2R007RO
SI2R15E05
SI5BGLTE07
SI5BGLTE05
SI2N0025B
SI2N0050B
SI2N0200BRR8
SI5BGLTE03
SI5BGLTE02
WGSTH1SS4
WGSTH1RR4
WGSVM1SS4
WGSVM1RR4
WGFGMRR41
WGFGMSS41
WGFGMRR21
WGFGMSS21
WGPM0GSS2
WGPM0GSS4
WGPST1SS2
WGPST1RR2
WGPSV1SS2
WGPSV1RR2
WGSTX1SS2
WGSTX1RR2
WGSVX1SS2
WGSVX1RR2
WGFGT1SS2
WGFGT1RR2
WGFGT1SS4
WGFGT1RR4
WGSTX1SS4
WGSTX1RR4
WGSVX1SS4
WGSVX1RR4
WGMXN1RR2
WGMXN1SS2
WGMXN1RR4
WGMXN1SS4
WGMXP1RR2
WGMXP1SS2
WGMXP1RR4
WGMXP1SS4
WGMXM1RR2
WGMXM1SS2
WGMXM1RR4
WGMXM1SS4
WGMXM0RR2
WGMXM0SS2
WGMXM0RR4
WGMXM0SS4
WGSTH0SS2
WGSTH0RR2
WGSVM0SS2
WGSVM0RR2
WGSTH0SS4
WGSTH0RR4
WGSVM0SS4
WGSVM0RR4
WGPST0SS2
WGPST0RR2
WGPSV0SS2
WGPSV0RR2
WGPST0SS4
WGPST0RR4
WGPSV0SS4
WGPSV0RR4
WGPST1SS4
WGPST1RR4
WGPSV1SS4
WGPSV1RR4
WGSTX0SS2
WGSTX0RR2
WGSVX0SS2
WGSVX0RR2
WGSTX0SS4
WGSTX0RR4
WGSVX0SS4
WGSVX0RR4