- 品牌：Entegris（英特格） / Millipore
- 型號：WG3NS2RR4
- 產品品類：Wafergard III NF Mini XL 系列管路高純氣體過濾器
- 濾膜材質：專利燒結鎳（Sintered Nickel）膜
- 外殼與端蓋材質：電拋光高純 316L 不銹鋼（低硫VAR 316L）
- 接口尺寸與類型：1/2 英寸 Gasket seal（兼容 VCR 密封接口）外螺紋公頭輸入/輸出（Male Inlet/Outlet）
- 過濾精度（Removal Rating）：≥0.0015 μm 至 0.003 μm
- 微粒阻攔效率：當氣流量在 120 SLPM 時，微粒去除率大于 99.9999999%（9 LRV）
- 下流方向初始清潔度：對于 ≥0.01 μm 的顆粒，少于 0.03 個微粒/升
- 內部表面粗糙度：≤5 μin Ra
- 氦氣泄漏率（測試值）：1 x 10?? atm cc/sec
- 最大入口壓力：165 bar (2400 psi) @ 100°C
- 最大正向/反向差壓：20 bar (290 psid)
- 最大工作溫度（不活性氣體）：400°C @ 83 bar
- 最大工作溫度（腐蝕性/反應性氣體）：50°C @ 165 bar
- 面間總長度（Length）：133.3 mm（約 5.25 英寸）
- 產品外徑（Diameter）：28.5 mm
- 整機重量信息：基準泵體/濾芯本體凈重約為 280 g 至 350 g 之間（實際總重隨出廠密封包裝及兩端防護蓋等有所變化）
Entegris英特格WG3NS2RR4是一款廣泛服役于半導體超凈車間、光刻工藝氣路以及各類先進制程設備中的超高純全金屬高規格管路氣體過濾器。該產品屬于Wafergard III NF Mini XL工藝硬件系列，其內部核心過濾元件采用了英特格享有專利的高技術燒結鎳膜。這種全金屬架構不僅讓設備能夠完美承受動態壓力脈動帶來的物理沖擊，在面對現代晶圓廠、電子級氣體輸送管道中所使用的大量不活性氣體或高侵蝕性反應氣體時，也能表現出優良的抵御化學腐蝕特性。為了全面防范氣路組裝中因焊接過度帶來的金屬析出與氣體逸散，外殼采用先進的焊接減量化裝配工藝，配合低硫VAR 316L高純度不銹鋼外殼以及內壁小于等于5微英寸Ra的嚴苛電拋光處理，做到了在極高和極低蒸氣壓工況下均能維持極低的自身氣體放出量，極大縮短了氣路系統的烘干與吹掃響應周期。
從微控污染控制的深度和技術實力來看，英特格WG3NS2RR4實現了令人矚目的純凈度指標。該過濾器對于肉眼不可見的納米級超細微粒具有強大的阻截和去除能力，其額定去除孔徑可延伸至0.0015微米至0.003微米。在半導體制程氣體管路以高達120 SLPM的大標準升每分鐘流量進行高密度泵送時，其針對最易穿透粒徑的顆粒攔截效率依然能夠保持在百分之九十九點九九九九九九九以上（即高達9 LRV的對數減少值），這能顯著降低因為外界氣源微粒超標造成的晶圓污染，對提高先進制程芯片和精密半導體元器件的成品率起到了關鍵的保障作用。同時，該產品在出廠前均經過嚴密的純化與清洗工序，出廠初始清潔度指標可穩定達到每升氣體中大于0.01微米的雜質微粒小于0.03個，能夠與氣體面板、氣體控制柜（Gas Box/Gas Panel）、閥門多路組裝箱（VMB）等復雜的超高純度流體分流與輸送設備無縫契合。
在硬件接口及物理兼容性設計上，WG3NS2RR4展現出了高度的集成便利性。它提供了長133.3毫米、直徑28.5毫米的極度緊湊型一體化金屬管身設計，不僅能夠最大程度降低工藝管道的占用體積，還賦予了工程設計極佳的空間容錯率。兩端接口部分配備的是標準半導體流體硬件常用的1/2英寸Gasket面密封（完全兼容VCR密封接頭）公頭輸入與輸出端。這種端面金屬對金屬的剛性壓緊密封機制，在長期的溫度交變、脈動壓力循環（承受高達20 bar的正反向設計差壓）以及高達165 bar的極限工藝入口壓力下，依然能夠保持優秀的密閉性。其經過多重極端環境驗證的氦氣泄漏率測試值低至1 x 10?? atm cc/sec，完全杜絕了特種毒性、易燃易爆或昂貴高純氣體向大氣環境泄露擴散的安全隱患，也使得它成為當今泛半導體工業、高精細特氣制造及科研院所特氣管網改擴建工程中深受信賴的安全流體保障硬件。
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